| 型号 | 品牌 | 封装 | 描述 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IRLZ44N新 | 英飞凌 | TO-220 | 逻辑电平N-MOSFET，55V/47A，5V驱动直通，Arduino/单片机控制大电流标配 | ¥1.68 | 2.2万+ | |
| IRFZ44N热 | 安森美 | TO-220 | IRFZ44N N沟道MOSFET，55V 49A，低导通电阻，TO-220封装 | ¥1.21 | 3.5万+ | |
| HRFZ44N新 | 华大半导体 | TO-220 | 华大半导体HRFZ44N N沟道MOSFET，55V 49A，IRFZ44N国产替代，TO-220 | ¥0.9200 | 2.8万+ | |
| AO3400A热 | 安森美 | SOT-23 | AO3400A N沟道MOSFET，30V 5.8A，SOT-23封装，小信号开关应用 | ¥0.1000 | 6.0万+ | |
| SI2302DS | 安森美 | SOT-23 | SI2302 N沟道MOSFET，20V 2.8A，SOT-23封装，低压开关应用 | ¥0.0800 | 5.2万+ | |
| IRF3205PBF热 | 威世 | TO-220 | N沟道功率MOSFET，55V耐压，110A电流，8mΩ导通电阻，适用于大电流开关和电机驱动。 | ¥2.97 | 8500+ | |
| IRLZ44NPBF | 威世 | TO-220 | N沟道逻辑电平功率MOSFET，55V耐压，47A电流，低栅极阈值电压，5V逻辑电平驱动。 | ¥1.95 | 6200+ | |
| FDD8424H | 安森美 | TO-252 | 双N沟道功率MOSFET，40V耐压，单管15A，一体封装适合电机驱动和DC-DC同步整流。 | ¥1.53 | 4200+ | |
| IRLML2402 | 英飞凌 | SOT-23 | N沟道逻辑级MOSFET，20V/1.2A，低阈值电压适合3.3V驱动，适用于便携设备负载开关。 | ¥0.3300 | 5.0万+ | |
| IRLML6402 | 英飞凌 | SOT-23 | P沟道逻辑级MOSFET，-20V/-1.2A，低阈值电压，适用于电池供电设备的高侧开关。 | ¥0.3800 | 4.2万+ | |
| IPD90P03P4L-04 | 英飞凌 | TO-252(DPAK) | P沟道功率MOSFET，-30V/-90A，极低导通电阻，适用于12V/24V电源系统高侧开关。 | ¥5.40 | 8000+ | |
| BSC010NE2LSI | 英飞凌 | SuperSO8(TO-263) | N沟道OptiMOS功率MOSFET，100V/100A，超低导通电阻1.0mΩ，适用于服务器和通信电源。 | ¥7.35 | 5000+ | |
| RQ3C100GN-030 | 罗姆 | SOT-223 | N沟道MOSFET，100V/5A，低导通电阻45mΩ，适用于中小功率DC-DC转换器。 | ¥0.4500 | 1.2万+ | |
| SVB1255N04 | 士兰微 | TO-252(DPAK) | N沟道功率MOSFET，40V/55A，低导通电阻8mΩ，适用于电动工具和电机驱动。 | ¥1.95 | 1.0万+ | |
| SD4953 | 士兰微 | SOT-23 | 双P沟道MOSFET，-30V/-2A，双管封装节省空间，适用于负载开关和电源管理。 | ¥0.2100 | 3.0万+ | |
| AON6410 | 万代半导体 | DFN-8(3x3) | N沟道MOSFET，30V/18A，低导通电阻6.5mΩ，DFN封装散热优异，适用于DC-DC同步整流。 | ¥0.4500 | 1.2万+ | |
| AOD4184A | 万代半导体 | TO-252(DPAK) | N沟道MOSFET，60V/40A，低导通电阻18mΩ，适用于大功率负载开关和DC-DC转换器。 | ¥0.9000 | 8000+ | |
| PMV20XNER | 安世半导体 | SOT-23 | N沟道MOSFET，20V/4.5A，低导通电阻30mΩ，适用于负载开关和DC-DC转换器。 | ¥0.1500 | 2.0万+ | |
| NCE1512IA新 | NCE新洁能 | TO-251 | N沟道MOSFET 150V 12A 130mΩ TO-251 | ¥0.8000 | 5000+ | |
| NCE20N65新 | NCE新洁能 | TO-220 | N沟道超结MOSFET 650V 20A 190mΩ TO-220 | ¥3.50 | 5000+ |